在9月24—26日举行的上海PCIM Asia 2025电子展上，成都高新发展股份有限公司（以下简称高新发展）携下属公司森未科技、芯未半导体参展，向市场客户全面展示了其在功率半导体芯片设计、特色制造工艺及应用验证等方面的全链条技术能力。

森未科技高功率密度产品获关注

作为国家高新技术企业，森未科技携自主研发的高功率密度IGBT/SiC系列产品及解决方案亮相，充分展现了在功率半导体领域的研发实力。

此次参展的新产品具备高性能、低功耗与高可靠性等特点，可广泛应用于工控、光伏储能、新能源汽车及特种电源等领域，为行业升级提供关键支撑。期间，凭借高电流密度、低开关损耗等优势，以及完整的产品系列，森未科技产品吸引了众多海内外客户与专家驻足交流，技术团队则从技术演进、产品特性、场景应用到落地实施进行了深入讲解，为后续合作奠定良好基础。

值得一提的是，在展会同期举办的国际研讨会上，森未科技发表题为《Superjunction MOSFET with a Trench Contact and Embedded SiO2 Insulator for Excellent Reverse Recovery》（采用沟槽接触和嵌入二氧化硅绝缘层的超结MOSFET具备卓越反向恢复特性）的研究报告。该研究报告创新性显著、实用性强，引发现场热烈讨论。

随着半导体技术持续迭代，功率器件正朝着更高电压、更高功率密度方向发展。而森未科技通过持续研发投入及与多家科研院所共建联合实验室，不断突破技术瓶颈，现已成功开发出电压等级覆盖650V-1700V、电流等级覆盖10A-900A的IGBT/SiC系列产品百余款，展现出扎实的研发积累与产品化能力。未来，森未科技将紧跟趋势，积极推进第八代IGBT及SiC产品研发。

芯未半导体展示一站式代工与中试平台实力

作为成都首个功率半导体代工平台和规模最大的功率半导体中试平台，芯未半导体重点展示了“晶圆背面加工—封装测试—集成组件”的一站式解决方案，成为展会中国产代工力量的焦点。

展会期间，芯未半导体技术团队通过动态实物演示，详细讲解了“从样品到量产”的全流程服务，展现了其在缩短研发周期、降低试错成本方面的核心价值，特别是8英寸超薄IGBT晶圆背面加工平台和高压大功率模块高可靠封装制造平台，吸引了众多芯片设计企业及科研机构的广泛关注。

未来，高新发展将继续致力于功率半导体国产化替代，突破关键核心技术，加速推进具有国际竞争力的技术研发，以科技创新培育新质生产力，为行业高质量发展注入持续动力。